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    功率MOSFET應用指南
    時間:2021-09-03點擊量:
    談到了MOSFET的開啟與關閉過程就是對其中的電荷進行充電和放電的過程,電荷量的多少直接影響了MOSFET開關速度。電容的值一般會取決于測量時所設置的電壓和頻率,所以相對于電荷來講,電容的值就顯得沒有那么重要。但估計是為了輔助設計,很多供應商還是列出了電容的信息,如下圖:

    功率MOSFET應用指南

    Ciss(輸入電容):柵極與其他兩個端子(漏極和源極)之間的電容。

    Coss(輸出電容):漏極與其他兩個端子(柵極和源極)之間的電容。

    Crss(反向傳輸電容):漏極和源極間的電容。

    那么對于MOSFET的等效模型,就會有下面的等式成立:

    Ciss=Cgd+Cgs,Coss=Cgd+Cds,Crss=Cds

    功率MOSFET應用指南

    值得注意的是,雖然很多供應商都規定了電容值的測試頻率為1MHz,但其他的測試條件卻不盡相同,在元件選擇橫向比較時比較困難。值得慶幸的是,供應商同時也會給出電容曲線,如下圖:
    根據公式電容C=電荷Q/電壓V, 隨著電壓的增大,電容值響應地有所下降。

    功率MOSFET應用指南

    綜上所述,在真正的設計過程中會利用電荷量來計算評估開關時間,而不會用Ciss,Coss和Crss。這些電容信息只是可利用的不同MOSFET橫向比較的參數。


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